| 類(lèi)型 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 | 品牌 | IR |
Digi-Key 零件編號(hào) IRFH5255TRPBF-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號(hào)
IRFH5255TRPBF
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 15A（Ta），51A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 988pF @ 13V Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），26W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 6 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PQFN（5x6）單芯片焊盤(pán)
封裝/外殼 8-VQFN
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