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存儲器MT40A1G4RH-083E:B DRAM
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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 南山區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2018年04月24日
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類型集成電路(IC)  
MT40A1G4RH-083E:B介紹:
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR4
存儲容量 4Gb (1G x 4)
時鐘頻率 1.2GHz
寫周期時間 - 字,頁 -
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.14 V ~ 1.26 V
工作溫度 0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA(9x10.5)


記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進(jìn)制數(shù)必須轉(zhuǎn)換成等值的二進(jìn)制數(shù)才能存入存儲器中。
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