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晶體管 SSM6L35FE FET
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，晶體管 SSM6L35FE FET

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2018年05月04日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
SSM6L35FE介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 180mA，100mA
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3 歐姆 @ 50mA，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 9.5pF @ 3V
功率 - 最大值 150mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝 ES6（1.6x1.6）
基本零件編號(hào) SSM6L35



比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動(dòng)，這都是電子管所無(wú)法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡(jiǎn)便，有利于提高元器件的安裝密度。
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