MII200-12A4介紹：
描述 MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周
詳細(xì)描述 IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 270A 1130W Chassis Mount Y3-DCB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - IGBT - 模塊
制造商 IXYS
系列 -
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 NPT
配置 半橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（IC）（最大值） 270A
功率 - 最大值 1130W
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.7V @ 15V，150A
電流 - 集電極截止（最大值） 10mA
不同 Vce 時(shí)的輸入電容（Cies） 11nF @ 25V 輸入 標(biāo)準(zhǔn)
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 Y3-DCB
供應(yīng)商器件封裝 Y3-DCB
基本零件編號(hào) MII
比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動(dòng)，這都是電子管所無(wú)法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡(jiǎn)便，有利于提高元器件的安裝密度。
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