IRLU024NPBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 17A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 IPAK（TO-251）
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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