RJK1557DPA-00#J0介紹：
描述 MOSFET N-CH 150V W-PAK
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 150V 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas ElectronICs America
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 25A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 58 毫歐 @ 12.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-WPAK
封裝/外殼 8-PowerWDFN
判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
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