FDC653N介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 35 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場(chǎng)效晶體管（PMOSFET）。
ON Semiconductor 擁有全球一流、響應(yīng)迅速的可靠供應(yīng)鏈和質(zhì)量程序，在北美、歐洲和亞太地區(qū)的主要市場(chǎng)中運(yùn)營(yíng)著包括制造工廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)。
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