FDPC8011S介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
制造商標準提前期 39 周
詳細描述 2 N 溝道（雙）非對稱型 Mosfet 陣列 25V 13A，27A 800mW，900mW 表面貼裝 Powerclip-33
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 13A，27A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1240pF @ 13V 功率 - 最大值 800mW，900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-PowerWDFN
供應商器件封裝 Powerclip-33
基本零件編號 FDPC8011S
在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的強大網(wǎng)絡。
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