NCP5901MNTBG介紹：
描述 IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 5 周
詳細(xì)描述 Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN (2x2)
PMIC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
驅(qū)動(dòng)配置 半橋
通道類型 同步
驅(qū)動(dòng)器數(shù) 2
柵極類型 N 溝道 MOSFET
邏輯電壓 - VIL，VIH 0.7V，3.4V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出） -
輸入類型 非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉） 35V
上升/下降時(shí)間（典型值） 16ns，11ns
工作溫度 0°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝 8-DFN（2x2）
基本零件編號(hào) NCP5901
場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.
ON Semiconductor -ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推動(dòng)能效創(chuàng)新，幫助客戶減少總體能源使用。 公司提供種類全面的產(chǎn)品組合，具體包括高能效電源和信號(hào)管理、邏輯、分立和定制解決方案，能幫助設(shè)計(jì)工程師解決在汽車、通信、計(jì)算、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED 照明、醫(yī)療、軍事/航空航天和電源應(yīng)用方面的獨(dú)特設(shè)計(jì)難題。
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