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STD18N65M5 MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A

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，STD18N65M5 MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A

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所在地：廣東深圳市福田區(qū)
發(fā)布日期： 2019年06月11日

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的詳細(xì)信息

品牌	ST	型號(hào)	STD18N65M5
類別	直插	結(jié)構(gòu)	固定

STMICroelectronics N-通道 MDmesh? V 功率 MOSFET

意法半導(dǎo)體 N 溝道 MDmesh? V 功率 MOSFET 依賴 MDmesh? V 與基于創(chuàng)新專有垂直工藝的開創(chuàng)性功率 MOSFET 技術(shù)，并結(jié)合了意法半導(dǎo)體著名的 PowerMESH? 水平布局結(jié)構(gòu)。意法半導(dǎo)體 N 溝道 MDmesh? V 功率 MOSFET 具有極低導(dǎo)通電阻，在硅基功率 MOSFET 中無以匹敵，使其特別適合需要出色功率密度和超高效率的應(yīng)用。

STMicroelectronics MDmesh M5 mosfts采用硅基技術(shù)，將創(chuàng)新的專有垂直技術(shù)流程與STMicroelectronics的PowerMESH水平布局相結(jié)合。與以前的MDmesh II技術(shù)相比，該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高達(dá)40%的更好的RDS(on)，并在電源開關(guān)領(lǐng)域建立了一個(gè)新的里程碑。