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IRFB4229PBF正品保障公司現(xiàn)貨量大從優(yōu)
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  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年06月12日
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型號IRFB4229PBF廠家INFINEON
批號18+封裝TO-220AB
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 46 A
最大漏源電壓 250 V
最大漏源電阻值 46 mΩ
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 330 W
最低工作溫度 -40 °C
典型柵極電荷@Vgs 72 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds 4560 pF@ 25 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.82mm
晶體管材料 Si
長度 10.66mm
尺寸 10.66 x 4.82 x 9.02mm
高度 9.02mm
系列 HEXFET
最高工作溫度 +175 °C
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