以下是，IPD30N10S3L34ATMA1原裝正品現(xiàn)貨發(fā)售，型號(hào):IPD30N10S3L34ATMA1 廠家:INFINEON 封裝:TO-252 ，請(qǐng)點(diǎn)擊“詢價(jià)”
-IPD30N10S3L34ATMA1原裝正品現(xiàn)貨發(fā)售 型號(hào):IPD30N10S3L34ATMA1 廠家:INFINEON 封裝:TO-252-買賣IC網(wǎng)
IPD30N10S3L34ATMA1原裝正品現(xiàn)貨發(fā)售
查看大圖

，IPD30N10S3L34ATMA1原裝正品現(xiàn)貨發(fā)售

  • 當(dāng) 前 價(jià)： -
  • 最小起訂： 1個(gè)
  • 供貨總量： 6666個(gè)
  • 點(diǎn)此詢價(jià)
  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 北京 北京市轄區(qū) 朝陽(yáng)區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年06月27日
型號(hào)IPD30N10S3L34ATMA1廠家INFINEON
封裝TO-252  
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
屬性數(shù)值
通道類型N
最大連續(xù)漏極電流30 A
最大漏源電壓100 V
最大漏源電阻值42 mΩ
最大柵閾值電壓2.4V
最小柵閾值電壓1.2V
最大柵源電壓-20 V、+20 V
封裝類型DPAK (TO-252)
安裝類型表面貼裝
晶體管配置單
引腳數(shù)目3
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
最大功率耗散57 W
尺寸6.5 x 6.22 x 2.3mm
晶體管材料Si
最低工作溫度-55 °C
典型柵極電荷@Vgs24 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds1520 pF @ 25 V
每片芯片元件數(shù)目1
典型接通延遲時(shí)間6 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間18 ns
寬度6.22mm
長(zhǎng)度6.5mm
最高工作溫度+175 °C
系列OptiMOS T
高度2.3mm
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
免責(zé)聲明： 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是，IPD30N10S3L34ATMA1原裝正品現(xiàn)貨發(fā)售，型號(hào):IPD30N10S3L34ATMA1 廠家:INFINEON 封裝:TO-252的信息
由北京輝創(chuàng)互動(dòng)信息技術(shù)有限公司獨(dú)家運(yùn)營(yíng)
粵ICP備14064281號(hào) 客服群：4031849 交流群：4031839 商務(wù)合作：QQ 775851086