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參數(shù)資料
| 型號： | SYS82000RKXDLI-10 |
| 英文描述： | 2M x 8 SRAM MODULE |
| 中文描述： | 200萬× 8的SRAM模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | SYS82000RKXDLI-10 |
SYS82000RKXD - 70/85/10/12
Issue 1.3 February 2000
3
* Input pulse levels: 0V to 3.0V
* Input rise and fall times: 5ns
* Input and Output timing reference levels: 1.5V
* Output load: see diagram
* V
CC
=5V±10%
AC Test Conditions
Output Load
Operation Truth Table
645
100pF
I/O Pin
1.76V
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Symbol
V
DR
Test Condition
CS > V
CC
-0.2V
V
CC
= 3.0V, CS > V
CC
-0.2V
T
OP
= 0°C to 40°C
See Retention Waveform
See Retention Waveform
mn
typ
(1)
max
Unit
2.0
-
0
5
-
-
-
-
-
V
μ
A
ns
ms
I
CCDR1
t
CDR
(2)
220
-
-
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
t
R
Notes
(1) Typical figures are measured at 25°C.
(2) This parameter is guaranteed not tested.
Low V
cc
Data Retention Characteristics - L Version Only
CS
OE
WE
DATA PINS
SUPPLY CURRENT
MODE
H
X
X
High Impedance
I
SB1
, I
SB2
, I
SB3
Standby
L
L
H
Data Out
I
CC1
Read
L
H
L
Data In
I
CC1
I
CC1
Write
L
L
L
Data In
Write
L
H
H
High-Impedance
I
SB1
, I
SB2
, I
SB3
High-Z
Notes : H = V
IH
: L =V
IL
: X = V
IH
or V
IL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SYS82000RKXDLI-12 | 2M x 8 SRAM MODULE |
| SYS82000RKXDLI-85 | 2M x 8 SRAM MODULE |
| SYS84000RKX-10 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| SYS84000RKX-12 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| SYS84000RKX-70 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SYS82000RKXDLI-12 | 制造商:MOSAIC 制造商全稱:MOSAIC 功能描述:2M x 8 SRAM MODULE |
| SYS82000RKXDLI-85 | 制造商:MOSAIC 制造商全稱:MOSAIC 功能描述:2M x 8 SRAM MODULE |
| SYS8256RKX-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM Module |
| SYS8256RKX-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM Module |
| SYS8256RKX-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM Module |
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