參數(shù)資料
型號(hào)： SZBZX84C47LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 齊納二極管
英文描述： 47 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 176K
代理商： SZBZX84C47LT3
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS BZX84CxxxLT1 SERIES (STANDARD TOLERANCE)
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.90 V Max. @ IF = 10 mA)
(Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices.)
Device*
Device
Marking
VZ1 (Volts)
@IZT1 =5mA
(Note 3)
ZZT1
(W)
@ IZT1 =
5 mA
VZ2 (V)
@IZT2 =1mA
(Note 3)
ZZT2
(W)
@ IZT2 =
1 mA
VZ3 (V)
@IZT3 =20mA
(Note 3)
ZZT3
(W)
@ IZT3 =
20 mA
Max Reverse
Leakage
Current
qVZ
(mV/k)
@ IZT1 = 5 mA
C (pF)
@ VR = 0
f = 1 MHz
Min
Nom
Max
Min
Max
Min
Max
VR
Volts
IR
mA @
Min
Max
BZX84C2V4LT1, G
Z11
2.2
2.4
2.6
100
1.7
2.1
600
2.6
3.2
50
1
3.5
0
450
BZX84C2V7LT1, G
Z12
2.5
2.7
2.9
100
1.9
2.4
600
3
3.6
50
20
1
3.5
0
450
BZX84C3V0LT1, G
Z13
2.8
3
3.2
95
2.1
2.7
600
3.3
3.9
50
10
1
3.5
0
450
BZX84C3V3LT1, G
Z14
3.1
3.3
3.5
95
2.3
2.9
600
3.6
4.2
40
5
1
3.5
0
450
BZX84C3V6LT1, G
Z15
3.4
3.6
3.8
90
2.7
3.3
600
3.9
4.5
40
5
1
3.5
0
450
BZX84C3V9LT1, G
Z16
3.7
3.9
4.1
90
2.9
3.5
600
4.1
4.7
30
3
1
3.5
2.5
450
BZX84C4V3LT1, G
W9
4
4.3
4.6
90
3.3
4
600
4.4
5.1
30
3
1
3.5
0
450
BZX84C4V7LT1, G
Z1
4.4
4.7
5
80
3.7
4.7
500
4.5
5.4
15
3
2
3.5
0.2
260
BZX84C5V1LT1, G
Z2
4.8
5.1
5.4
60
4.2
5.3
480
5
5.9
15
2
2.7
1.2
225
BZX84C5V6LT1, G
Z3
5.2
5.6
6
40
4.8
6
400
5.2
6.3
10
1
2
2.0
2.5
200
BZX84C6V2LT1, G
Z4
5.8
6.2
6.6
10
5.6
6.6
150
5.8
6.8
6
3
4
0.4
3.7
185
BZX84C6V8LT1, G
Z5
6.4
6.8
7.2
15
6.3
7.2
80
6.4
7.4
6
2
4
1.2
4.5
155
BZX84C7V5LT1, G
Z6
7
7.5
7.9
15
6.9
7.9
80
7
8
6
1
5
2.5
5.3
140
BZX84C8V2LT1, G
Z7
7.7
8.2
8.7
15
7.6
8.7
80
7.7
8.8
6
0.7
5
3.2
6.2
135
BZX84C9V1LT1, G
Z8
8.5
9.1
9.6
15
8.4
9.6
100
8.5
9.7
8
0.5
6
3.8
7.0
130
BZX84C10LT1, G
Z9
9.4
10
10.6
20
9.3
10.6
150
9.4
10.7
10
0.2
7
4.5
8.0
130
BZX84C11LT1, G
Y1
10.4
11
11.6
20
10.2
11.6
150
10.4
11.8
10
0.1
8
5.4
9.0
130
BZX84C12LT1, G
Y2
11.4
12
12.7
25
11.2
12.7
150
11.4
12.9
10
0.1
8
6.0
10.0
130
BZX84C13LT1, G
Y3
12.4
13
14.1
30
12.3
14
170
12.5
14.2
15
0.1
8
7.0
11.0
120
BZX84C15LT1, G
Y4
13.8
15
15.6
30
13.7
15.5
200
13.9
15.7
20
0.05
10.5
9.2
13.0
110
BZX84C16LT1, G
Y5
15.3
16
17.1
40
15.2
17
200
15.4
17.2
20
0.05
11.2
10.4
14.0
105
BZX84C18LT1, G
Y6
16.8
18
19.1
45
16.7
19
225
16.9
19.2
20
0.05
12.6
12.4
16.0
100
BZX84C20LT1, G
Y7
18.8
20
21.2
55
18.7
21.1
225
18.9
21.4
20
0.05
14
14.4
18.0
85
BZX84C22LT1, G
Y8
20.8
22
23.3
55
20.7
23.2
250
20.9
23.4
25
0.05
15.4
16.4
20.0
85
BZX84C24LT1, G
Y9
22.8
24
25.6
70
22.7
25.5
250
22.9
25.7
25
0.05
16.8
18.4
22.0
80
Device
Marking
VZ1 Below
@IZT1 =2mA
ZZT1
Below
@ IZT1 =
2 mA
VZ2 Below
@IZT2 = 0.1 m-
A
ZZT2
Below
@ IZT4 =
0.5 mA
VZ3 Below
@IZT3 =10mA
ZZT3
Below
@ IZT3 =
10 mA
Max Reverse
Leakage
Current
qVZ
(mV/k) Below
@ IZT1 = 2 mA
C (pF)
@ VR = 0
f = 1 MHz
Min
Nom
Max
Min
Max
Min
Max
VR
(V)
IR
mA @
Min
Max
BZX84C27LT1, G
Y10
25.1
27
28.9
80
25
28.9
300
25.2
29.3
45
0.05
18.9
21.4
25.3
70
BZX84C30LT1, G
Y11
28
30
32
80
27.8
32
300
28.1
32.4
50
0.05
21
24.4
29.4
70
BZX84C33LT1, G
Y12
31
33
35
80
30.8
35
325
31.1
35.4
55
0.05
23.1
27.4
33.4
70
BZX84C36LT1, G
Y13
34
36
38
90
33.8
38
350
34.1
38.4
60
0.05
25.2
30.4
37.4
70
BZX84C39LT1, G
Y14
37
39
41
130
36.7
41
350
37.1
41.5
70
0.05
27.3
33.4
41.2
45
BZX84C43LT1, G
Y15
40
43
46
150
39.7
46
375
40.1
46.5
80
0.05
30.1
37.6
46.6
40
BZX84C47LT1, G
Y16
44
47
50
170
43.7
50
375
44.1
50.5
90
0.05
32.9
42.0
51.8
40
BZX84C51LT1, G
Y17
48
51
54
180
47.6
54
400
48.1
54.6
100
0.05
35.7
46.6
57.2
40
BZX84C56LT1, G
Y18
52
56
60
200
51.5
60
425
52.1
60.8
110
0.05
39.2
52.2
63.8
40
BZX84C62LT1, G
Y19
58
62
66
215
57.4
66
450
58.2
67
120
0.05
43.4
58.8
71.6
35
BZX84C68LT1, G
Y20
64
68
72
240
63.4
72
475
64.2
73.2
130
0.05
47.6
65.6
79.8
35
BZX84C75LT1, G
Y21
70
75
79
255
69.4
79
500
70.3
80.2
140
0.05
52.5
73.4
88.6
35
3. Zener voltage is measured with a pulse test current IZ at an ambient temperature of 25°C.
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SZBZX84C6V8LT3 6.8 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
SZBZX84C39LT1 39 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
SZBZX84C3V9LT1 3.9 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
SZBZX84C12LT1 12 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
SZBZX84C2V7LT1 2.7 V, 0.225 W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SZBZX84C47LT3G 功能描述:DIODE ZENER 225MW 47V SOT-23-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標(biāo)稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
SZBZX84C4V3ET1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZEN REG .225W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
SZBZX84C4V3LT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
SZBZX84C4V3LT1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZEN REG .225W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
SZBZX84C4V3LT3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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