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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SZMMBZ15VALT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | SZMMBZ15VALT1 |
MMBZ5V6ALT1 Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
+ 50
18
Figure 1. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
(Upper curve for each voltage is bidirectional mode,
lower curve is unidirectional mode)
0
TEMPERATURE (°C)
+ 100
+ 150
15
12
9
6
3
0
40
+ 25
1000
Figure 2. Typical Leakage Current
versus Temperature
TEMPERATURE (°C)
+ 85
+ 125
100
10
1
0.1
0.01
BREAKDOWN
VOL
TAGE
(VOL
TS)
(V
BR
@
I T
)
I R
(nA)
Figure 3. Typical Capacitance versus Bias Voltage
(Upper curve for each voltage is unidirectional mode,
lower curve is bidirectional mode)
0
25
50
75
100
125
150
175
300
250
200
150
100
50
0
Figure 4. Typical Capacitance versus Bias Voltage
(Upper curve for each voltage is unidirectional mode,
lower curve is bidirectional mode)
TEMPERATURE (°C)
FR5 BOARD
ALUMINA SUBSTRATE
01
2
3
320
280
240
160
120
40
0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
BIAS (V)
200
80
15 V
5.6 V
P
D
,POWER
DISSIP
ATION
(mW)
Figure 5. Steady State Power Derating Curve
01
2
3
60
40
30
10
0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
BIAS (V)
50
20
33 V
27 V
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PDF描述 |
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| SZN6309DS | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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