TE28F320J3D75A

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共47條
上一頁 1 2

您是不是要找： TE28F640J3C115SL7HA TE28F640J3D75A TE28F640J3D75B TE28F640J3D75B TR TE28F640P30B85A TE28F640P30T85A TE28F640P33B85A TE28F640P33T85A TE28F800C3BD70

TE28F320J3D75A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

TE28F320J3D75A PDF下載

功能描述
IC FLASH 32MBIT 75NS 56TSOP
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器
系列
StrataFlash™
產(chǎn)品變化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝
136
系列
-
格式 - 存儲(chǔ)器
RAM
存儲(chǔ)器類型
SRAM - 同步，DDR II
存儲(chǔ)容量
18M（1M x 18）
速度
200MHz
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
0°C ~ 70°C
封裝/外殼
165-TBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
165-CABGA（13x15）
包裝
托盤
其它名稱
71P71804S200BQ

TE28F320J3D75A 技術(shù)參數(shù)

TE28F320J3C110SL7H8 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 TE28F320C3TD70A 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 TE28F320C3BD70 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 TE28F256P33TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR TE28F256P33T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE3000-MEDIA-SENSOR TE300B100RJ TE300B10RJ TE300B120RJ TE300B12RJ TE300B150RJ TE300B15RJ TE300B180RJ TE300B18RJ TE300B1K0J TE300B1K2J TE300B1K5J TE300B1K8J TE300B1R0J TE300B1R2J TE300B1R5J TE300B1R8J TE300B220RJ