參數(shù)資料
型號(hào)： T12xxxH
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅)
中文描述： 標(biāo)準(zhǔn)雙向（標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： T12XXXH
P
G (AV)
= 1W P
GM
=10 W (tp = 20
μ
s)
I
GM
= 4 A (tp = 20
μ
s)
GATE CHARACTERISTICS
(maximumvalues)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junctionto ambient
60
°
C/W
Rth(j-c)
Junctionto case for D.C
3.3
°
C/W
Rth(j-c)
Junctionto case for A.C 360
°
conductionangle(F=50Hz)
2.5
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Sensitivity
Unit
10
12
13
I
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj= 25
°
C
I-II-III
MAX
25
50
50
mA
IV
MAX
25
50
75
V
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj= 25
°
C
I-II-III-IV
MAX
1.5
V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
Tj= 125
°
C
I-II-III-IV
MIN
0.2
V
tgt
V
D
=V
DRM
I
T
= 17A
dI
G
/dt = 3A/
μ
s
I
G
= 500mA
Tj= 25
°
C
I-II-III-IV
TYP
2
μ
s
I
H
*
I
T
= 250mA Gateopen
Tj= 25
°
C
MAX
25
50
75
mA
I
L
I
G
= 1.2I
GT
Tj= 25
°
C
I-III-IV
TYP
25
50
75
mA
II
TYP
50
100
150
V
TM
*
I
TM
= 17A tp= 380
μ
s
Tj= 25
°
C
MAX
1.5
V
I
DRM
I
RRM
V
D
=V
DRM
V
R
=V
RRM
Tj= 25
°
C
MAX
10
μ
A
Tj= 110
°
C
MAX
2
mA
dV/dt*
VD=67%V
DRM
Gate open
Tj= 110
°
C
MIN
200
500
500
V/
μ
s
(dV/dt)c*
(dI/dt)c = 5.3 A/ms
Tj= 110
°
C
MIN
2
5
10
V/
μ
s
* Foreither polarity of electrode A
2
voltagewith referenceto electrode A
1
ELECTRICALCHARACTERISTICS
ORDERING INFORMATION
T
12
12
M
H
TRIAC MESAGLASS
CURRENT
PACKAGE:
H =TO220 Non-insulated
VOLTAGE
SENSITIVITY
T12xxxH
2/5
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PDF描述
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T175 DIL 14 PIN SINGLE OUTPUT
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參數(shù)描述
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