參數(shù)資料
型號： T1329N18TOF
元件分類： 晶閘管
英文描述： 2600 A, 1800 V, SCR
文件頁數(shù)： 12/30頁
文件大?。?/td> 398K
代理商： T1329N18TOF
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1329 N 18...22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values
Preliminary Data
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
tq
circuit commutatet turn-off time
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Kühlflche / cooling surface
RthJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, =180°sin
max. 0,0184
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0170
°C/W
Anode / anode, =180°sin
max. 0,0344
°C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0330
°C/W
Kathode / cathode, =180°sin
max. 0,0364
°C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0350
°C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Kühlflche / cooling surface
RthJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0025
°C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0050
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
Tvj max
125
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
Tc op
-40...125
°C
operating temperature
Lagertemperatur
Tstg
-40...150
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Ampilying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amlifying gate
Anprekraft
F
20 ...45
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
540
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther
A114/ 98
Seite/page 2 (29)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T1329N20TOF 2600 A, 2000 V, SCR
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T1391N42TOH 2800 A, 4200 V, SCR
T160CL 5900 MHz - 6400 MHz RF/MICROWAVE 3 PORT CIRCULATOR
T160N10EOF 300 A, 1000 V, SCR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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T1329N20TOF 功能描述:SCR模塊 2KV 26.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
T1329N22TOF 功能描述:SCR模塊 2.2KV 26.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
T1329N22TOF VT 功能描述:SCR PCT 2200V 1329A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
T132-SERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC
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