參數(shù)資料
型號： T435
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Performance Triacs(高性能雙向可控硅)
中文描述： 高性能雙向（高性能雙向可控硅）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 96K
代理商： T435
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Igt
Tj( C)
o
Ih
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
Igt[Tj]
Igt[Tj=25 C]
Ih[Tj]
Ih[Tj=25 C]
Fig.7 :
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature.
Fig.8 :
Non Repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
Fig.9 :
Non repetitive surge peak on-state current for a
sinusoidal
pulse
with
width
corresponding value of I2t.
:
t
≤
10ms,
and
Fig.10 :
On-state characteristics (maximum values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.1
1
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig.5 :
Relative variation of thermal impedance versus
pulse duration (SOT82 / SOT194 / TO220AB only).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.1
1
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig.6 :
Relative variation of thermal impedance versus
pulse duration ( ISOWATT220AB only).
T410 / T435
4/7
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PDF描述
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