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參數資料
| 型號： | T436416A-10S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16內存 |
| 文件頁數： | 16/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | T436416A-10S |
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TE
CH
tm
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length = 4
0
1
2
3
4
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.16
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 10 /A P
C L = 2
C L = 3
W E
5
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H IG H
t
R C
D Q M
D Q
:D o n't care
* N o te1
t
R C D
* N o te2
* N o te4
* N o te3
* N o te3
* N o te4
R a
C a0
R b
C b 0
R b
R a
Q a0
Q a1
Q a2
Q a3
Q a0
Q a1
Q a2
Q a3
D b0
D b0
D b1
D b1
D b2
D b2
D b3
D b3
t
R A C
t
S A C
t
O H
t
O H
t
S A C
t
S H Z
t
S H Z
t
R D L
t
R D L
R o w
A c tiv e (A -
B an k )
R ead (A -
B an k )
P rech arg
e (A -
B an k )
R o w A c tiv e
(A -B n ak )
W rite (A -
B n ak )
P rech arg e
(a-B n ak )
*Note : 1. Minimum row cycle times is requiqed to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency-1] number of valid output data is
available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z(
t
SHZ
) after the clock.
3. Access time from Row active command.
t
CC
*(
t
RCD
+CAS latency-1)+
t
SAC
4. Output will be Hi-Z after the end of burst.(1,2,4,8 bit burst)
Burst can’t end in Full Page Mode.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A-10SG | Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| T436416A-6S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 4M X 16 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| T436416A-10SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
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