- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361344 > T436416A-6S (TM Technology, Inc.) 4M X 16 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | T436416A-6S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | T436416A-6S |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
TE
CH
tm
Page Write cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.19
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
CLO CK
CK E
CS
RA S
CA S
A D D R
BA
A 10/A P
D Q
W E
D Q M
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
H IG H
:D on't care
R ow A ctive
(A -B ank)
W rite (A -
B ank)
R ow A ctive
(B -B ank)
W rite (B -
B ank)
W rite (A -
B ank)
W rite (B -
B ank)
Precharge
(A -B ank)
*N ote1
*N ote2
t
CD L
t
RD L
RA a
CA a
RBb
CBb
CA c
CBd
RA a
RBb
D A a0
D A a1
D A a2
D A a3
D B b0
D B b1
D B b2
D B b3
D A c0
D A c1
D B d0
D B d1
*Note : 1. To interrupt burst write by row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A-6SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7S | TERMINAL BLOCK END BARRIER IEC +OPTIONS |
| T436416A-7SG | 4M X 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416A-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。