參數(shù)資料
型號(hào)： T810-400B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH PERFORMANCE TRIACS
中文描述： 高性能雙向可控硅
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 102K
代理商： T810-400B
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
P(W)
α
α
α
α
α
I
(A)
T(RMS)
180°
α
α
Fig 1a:
Maximum power dissipation versus RMS
on-state current (T810 only).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
P(W)
α
α
α
α
α
I
(A)
T(RMS)
180°
α
α
Fig 1b:
Maximum power dissipation versus RMS
on-state current. (T835 only)
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8
10
P(W)
Tcase (°C)
Rth=0°C/W
Rth=5°C/W
Rth=10 °C/W
Rth=15 °C/W
125
110
120
115
α
Tamb(°C)
Fig 2:
Correlation between maximum power dissi-
pation and maximum allowable temperatures
(Tamb and Tcase) for different thermal resistances
heatsink+contact.
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I
(A)
T(RMS)
α
Tamb(°C)
Fig 3:
RMS on-state current versus ambient tem-
perature.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.1
0.2
0.5
1.0
K=[Zth(j-c)/Rth(j-c)]
tp(s)
Fig 4:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
GT H
GT H
I
H
Tj(°C)
I
GT
Fig 5:
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature (typi-
cal values).
T810-xxxB / T835-xxxB
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
T810-XXXB HIGH PERFORMANCE TRIACS
T835-600G HIGH PERFORMANCE TRIAC
T835-600 HIGH PERFORMANCE TRIAC
T850-600G HIGH PERFORMANCE TRIAC
T912-B400K-010-10 Type T912 and T914 Precision Resistor Networks
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參數(shù)描述
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T810-600G 功能描述:雙向可控硅 8A TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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