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參數(shù)資料
| 型號： | T810-800R-TR |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8A TRIACS |
| 中文描述： | 8A條雙向可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | T810-800R-TR |
BTA08, BTB08 and T8 Series
5/11
Figure 7: Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width t
p
< 10 ms
and corresponding value of I
2
t
Figure 8: Relative variation of gate trigger
current, holding current and latching current
versus junction temperature (typical values)
Figure 9: Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus (dV/dt)c
(typical values) (Snubberless & Logic level
types)
Figure 10: Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus (dV/dt)c
(typical values) (Standard types)
Figure 11: Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus junction
temperature
Figure 12:
DPAK and D
2
PAK Thermal resistance
junction to ambient versus copper surface under
tab (printed circuit board FR4, copper thickness:
35 μm)
0.01
0.10
1.00
10.00
10
100
1000
I
(A), I t (A s)
TSM
2
2
t (ms)
T initial=25°C
j
I
TSM
dI/dt limitation:
50A/μs
I t
2
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T (°C)
I
GT H L
j
I
GT H L
j
I
GT
I
H
& I
L
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
(dV/dt)c (V/μs)
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
TW
T835/CW/BW
T810/SW
0.1
1.0
10.0
100.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
(dV/dt)c (V/μs)
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
C
B
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
6
(dI/dt)c [T ] /
pecified]
(dI/dt)c [T s
T (°C)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
S(cm2)
R
(°C/W)
th(j-a)
D PAK
DPAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T810-XXXG | 8A TRIACS |
| T810-XXXH | 8A TRIACS |
| T835-600R | 8A TRIACS |
| T835-600R-TR | 8A TRIACS |
| T835-800R | 8A TRIACS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T810H | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High temperature 8 A sensitive TRIACs |
| T810H-6G | 功能描述:雙向可控硅 High temperature 8 A Sensitive TRIACs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T810H-6G-TR | 功能描述:雙向可控硅 Sensitive 8 A High Temperature RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T810H-6T | 功能描述:雙向可控硅 Sensitive 8 A High Temperature RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T810H-6T-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High temperature 8 A sensitive TRIACs |
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