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參數(shù)資料
| 型號： | T830-600W |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 三端雙向可控硅開關(guān) |
| 英文描述： | SNUBBERLESS TRIAC |
| 中文描述： | 緩沖器可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | T830-600W |
T820-xxxW / T830-xxxW
3/5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
180
O
= 180
o
= 120
o
= 90
o
o
= 60
= 30
o
T(RMS)
I
(A)
P(W)
Fig. 1:
Maximum power dissipation versus RMS
on-state current.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
0
2
4
6
8
10
= 180
o
Tcase( C)
I
(A)
T(RMS)
Fig. 3:
RMS on-state current versus case temper-
ature.
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Igt
Tj( C)
o
Ih
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
Igt[Tj]
Igt[Tj=25 C]
Ih[Tj]
Ih[Tj=25 C]
Fig. 5:
Relative variation of gate trigger current
and holding current versus junction temperature.
P (W)
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130
0
2
4
6
8
10
-90
-95
-100
-105
-110
-115
-120
-125
Rth = 0 C/W
2.5 C/W
5 C/W
7.5 C/W
Tamb ( C)
Tcase ( C)
o
Fig. 2:
Correlation between maximum power dissi-
pation
and
maximum
(TambandTcase)fordifferentthermalresistances
heatsink + contact.
allowable
temperature
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.1
1
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig. 4:
Thermal transient impedance junction to
case and junction to ambient versus pulse dura-
tion.
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
Tj initial = 25 C
Number of cycles
I
(A)
TSM
Fig. 6:
Non repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T830-700W | SNUBBERLESS TRIAC |
| T830-800W | SNUBBERLESS TRIAC |
| T830-xxxW | SNUBBERLESS TRIAC |
| T820-600W | CONNECTOR ACCESSORY |
| T820-700W | CONNECTOR ACCESSORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T830-700W | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SNUBBERLESS TRIAC |
| T8307A | 制造商:MOLEX 制造商全稱:Molex Electronics Ltd. 功能描述:Terminator Die |
| T830-800W | 功能描述:雙向可控硅 8.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T830-8FP | 功能描述:雙向可控硅 8A Snubberless 30mA 800V VDRM 900 VRSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T830N | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Netz-Thyristor Phase Control Thyristor |
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