參數(shù)資料
型號： T835-600B-TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8A TRIACS
中文描述： 8A條雙向可控硅
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： T835-600B-TR
P
G(AV)
= 1 W P
GM
= 10 W (tp = 20
μ
s) I
GM
= 4 A (tp = 20
μ
s)
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Suffix
Unit
T810
T835
I
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
10
35
mA
V
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
1.3
V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
Tj=125
°
C
I-II-III
MIN
0.2
V
I
L
I
G
=1.2 I
GT
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
25
60
mA
I
H
*
I
T
= 100mA gate open
Tj=25
°
C
MAX
15
35
mA
V
TM
*
I
TM
= 11A tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.5
V
I
DRM
I
RRM
V
DRM
Rated
V
RRM
Rated
Tj=25
°
C
MAX
10
μ
A
Tj=125
°
C
MAX
2
mA
dV/dt *
Linear slope up to
V
D
=67%V
DRM
gate open
Tj=125
°
C
MIN
50
500
V/
μ
s
(dI/dt)c *
(dV/dt)c = 0.1V/
μ
s
Tj=125
°
C
MIN
5.4
9
A/ms
(dV/dt)c = 15V/
μ
s
Tj=125
°
C
MIN
2.7
4.5
A/ms
* For either polarity of electrode A
2
voltage with reference to electrode A
1
.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case for DC
2.1
°
C/W
Rth (j-c)
Junction to case for AC 360
°
conduction angle ( F= 50 Hz)
1.6
°
C/W
Rth (j-a)
Junction to ambient (S = 0.5 cm
2
)
70
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
ORDERING INFORMATION
Add "-TR" suffix for Tape and Reel shipment
T
8
10
-
600
B
TRIAC
CURRENT
SENSITIVITY
VOLTAGE
PACKAGE
B = DPAK
T810-xxxB / T835-xxxB
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T835-400B HIGH PERFORMANCE TRIACS
T810-400B HIGH PERFORMANCE TRIACS
T810-XXXB HIGH PERFORMANCE TRIACS
T835-600G HIGH PERFORMANCE TRIAC
T835-600 HIGH PERFORMANCE TRIAC
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參數(shù)描述
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T835-600G 功能描述:雙向可控硅 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
T835-600G-TR 功能描述:雙向可控硅 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
T835-600H 功能描述:IGBT 晶體管 Snubberless Logic Lv Standard 8A Triac RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
T835-600H-TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Snubberless?, logic level and standard 8 A Triacs
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