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參數(shù)資料
| 型號： | T850-600G |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | HIGH PERFORMANCE TRIAC |
| 中文描述： | 高性能可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | T850-600G |
P
G (AV)
= 1 W P
GM
= 10 W (tp = 20
μ
s) I
GM
= 4 A (tp = 20
μ
s)
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junction to ambient (S = 1 cm
2
)
45
°C/W
Rth(j-c)
Junction to case for DC
2.1
°
C/W
Rth(j-c)
Junction to case for AC 360° conduction angle (F=50Hz)
1.6
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Test Conditions
Quadrant
T835
T850
Unit
I
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj= 25
°
C
I-II-III
MIN
2
mA
MAX
35
50
V
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj= 25
°
C
I-II-III
MAX
1.3
V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
Tj= 125
°
C
I-II-III
MIN
0.2
V
I
H
*
I
T
= 100mA Gate open
Tj= 25
°
C
MAX
35
50
mA
I
L
I
G
= 1.2 I
GT
Tj = 25°C
I-III
MAX
50
60
mA
II
MAX
80
100
V
TM *
I
TM
= 11A tp= 380
μ
s
Tj= 25
°
C
MAX
1.5
V
I
DRM
VD = V
DRM
Tj= 25
°
C
MAX
5
μ
A
I
RRM
V
R
= V
RRM
Tj= 125°C
MAX
2
mA
dV/dt *
Linear slope up to V
D
=67%V
DRM
Gate open
Tj= 125
°
C
MIN
500
1000
V/
μ
s
(dI/dt)c *
Without snubber
Tj= 125
°
C
MIN
4.5
7
A/ms
* For either polarity of electrode A2 voltage with reference to electrode A1.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ORDERING INFORMATION
T 8 35 - 600 G
TRIAC
CURRENT
PACKAGE :
G = D
2
PAK
VOLTAGE
SENSITIVITY
Add "-TR" suffix for Tape & Reel shipment
T835-600G / T850-600G
2/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T912-B400K-010-10 | Type T912 and T914 Precision Resistor Networks |
| T912-A500K-100-02 | Type T912 and T914 Precision Resistor Networks |
| T912-A500K-100-05 | Type T912 and T914 Precision Resistor Networks |
| T912-A500K-100-10 | Type T912 and T914 Precision Resistor Networks |
| T912-A50K-010-02 | Type T912 and T914 Precision Resistor Networks |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T850H-6G | 功能描述:雙向可控硅 Hi temp 8A 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T850H-6G-TR | 功能描述:雙向可控硅 Hi temp 8A 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T850H-6I | 功能描述:雙向可控硅 Hi temp 8A 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T850H-6T | 功能描述:雙向可控硅 Hi temp 8A 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T85110 | 制造商:Allied Controls Incorporated 功能描述:Conn Relay Socket SKT 8 POS Solder ST Thru-Hole |
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