參數(shù)資料
型號(hào)： TA58M08S
廠商： Toshiba Corporation
元件分類： 基準(zhǔn)電壓源/電流源
英文描述： 500 mA Low Dropout Voltage Regulator
中文描述： 500毫安低壓差穩(wěn)壓器
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： TA58M08S
TA58M05, 06, 08, 09, 10, 12, 15S
2006-11-06
10
TA58M05S
VIN = 14 V
IOUT
=
0 mA
0
10
20
30
50
60
0
100
300
400
Output current I
OUT
(mA )
Q
B
I
B
– I
OUT
Junction temperature Tj (°C)
I
PEAK
– Tj
Dropout voltage V
D
(V)
I
PEAK
– V
D
P
P
P
P
40
200
500
I
B
– T
j
Q
B
Junction temperature T
j
(°C)
0
-50
1.0
0.2
0.6
0.4
0.8
0
150
50
100
Output current I
OUT
(mA)
V
D
– I
OUT
D
D
0
1.0
0
300
500
0.6
0.4
100
0.8
0.2
200
400
Junction temperature Tj (°C)
V
D
– Tj
D
D
0
-50
0.5
50
150
0.3
0.2
0.4
0.1
0
100
25 °C
85 °C
50 mA
IOUT = 200 mA
TA58M05S
VIN = 14 V
TA58M05S
Tj = 25 °C
0
20
30
10
0
0.8
1.2
0.4
0.2
TA58M05S
Tj = 25 °C
VIN = 14 V
-40 °C
125 °C
0
-50
1.2
0.2
0.6
0.4
1.0
50
150
0
100
0.8
1.0
0.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TA58M09S 500 mA Low Dropout Voltage Regulator
TA58M10S Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 1.6 to 2.0; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
TA58M12S Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 1.9 to 2.3; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
TA58M15S Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 2.2 to 2.6; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
TA58M09F 500 mA Low Dropout Voltage Regulator
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參數(shù)描述
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