參數(shù)資料
型號(hào)： TB3100H-13
廠商： DIODES INC
元件分類(lèi)： 浪涌電流限制器
英文描述： Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3116; No. of Contacts:8; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Socket; Insert Arrangement:16-8 RoHS Compliant: No
中文描述： 50 A, SILICON SURGE PROTECTOR
封裝： PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 184K
代理商： TB3100H-13
DS30360 Rev. 3 - 2
2 of 4
TB0640H - TB3500H
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25
°
C unless otherwise specified
Part Number
Rated
Repetitive
Off-State
Voltage
Off-State
Leakage
Current @
V
DRM
Breakover
Voltage
On-State
Voltage
@ I
T
= 1A
Breakover
Current
I
BO
Holding Current
I
H
Off-State
Capacitance
Marking
Code
V
DRM
(V)
I
DRM
(uA)
V
BO
(V)
V
T
(V)
Min
(mA)
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
Max (mA)
Min
(mA)
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
Max (mA)
C
O
(pF)
TB0640H
TB0720H
TB0900H
TB1100H
TB1300H
TB1500H
TB1800H
TB2300H
TB2600H
TB3100H
TB3500H
58
65
75
90
120
140
160
190
220
275
320
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
77
88
98
130
160
180
220
265
300
350
400
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
200
200
200
120
120
120
120
80
80
80
80
T064H
T072H
T090H
T110H
T130H
T150H
T180H
T230H
T260H
T310H
T350H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
BR
I
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
T
I
PP
C
O
Parameter
Stand-off Voltage
Leakage current at stand-off voltage
Breakdown voltage
Breakdown current
Breakover voltage
Breakover current
Holding current NOTE: 1
On state voltage
Peak pulse current
Off-state capacitance NOTE: 2
Notes:
recovery time does not exceed 30ms.
2. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0V
RMS
signal, V
R
= 2V
DC
bias.
1. I
H
> (V
L
/R
L
) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge
I
BO
V
BR
V
DRM
V
T
V
BO
I
H
I
V
I
BR
I
DRM
I
PP
C
U
D
O
R
P
W
E
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TB3100L 30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
TB3100L-13 30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
TB3100M 50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
TB3100M-13 Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3116; Number of Contacts:23; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Socket
TB3500H 100A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TB3100H-13-F 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 275V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TB3100L 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
TB3100L-13 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 30A 275V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TB3100L-13-F 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 30A 275V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TB3100M 制造商:Lite-On Semiconductor Corporation 功能描述:SMD THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE 制造商:Lite-On 功能描述:Thyristor TSPD 275V 40A SMB
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*