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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TCET1108G |
| 廠商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | TCET1108G |
TCET110.(G) up to TCET4100
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 83503
Rev. A6, 08–Sep–99
7 (11)
Typical Characteristics (Tamb = 25_C, unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
0
40
80
120
P
–
T
otal
Power
Dissipation
(
mW
)
Tamb – Ambient Temperature ( °C )
96 11700
tot
Coupled device
Phototransistor
IR-diode
Figure 6. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VF – Forward Voltage ( V )
96 11862
F
I
–
Forward
Current
(
mA
)
Figure 7. Forward Current vs. Forward Voltage
–25
0
25
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
CTR
–
Relative
Current
T
ransfer
Ratio
rel
Tamb – Ambient Temperature ( °C )
95 11025
75
VCE=5V
IF=5mA
Figure 8. Relative Current Transfer Ratio vs.
Ambient Temperature
025
50
75
1
10
100
1000
10000
I
–
Collector
Dark
Current,
CEO
Tamb – Ambient Temperature ( °C )
100
95 11026
with
open
Base
(
nA
)
VCE=20V
IF=0
Figure 9. Collector Dark Current vs. Ambient Temperature
0.1
1
10
0.01
0.1
1
100
I
–
Collector
Current
(
mA
)
C
IF – Forward Current ( mA )
100
95 11027
10
VCE=5V
Figure 10. Collector Current vs. Forward Current
0.1
1
10
0.1
1
10
100
VCE – Collector Emitter Voltage ( V )
100
95 10985
I
–
Collector
Current
(
mA
)
C
IF=50mA
5mA
2mA
1mA
20mA
10mA
Figure 11. Collector Current vs. Collector Emitter Voltage
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