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參數(shù)資料
| 型號： | TCET2100 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | OPTOCOUPL DC-IN 2CH TRANS DC-OUT 8PDIP - Rail/Tube |
| 中文描述： | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Dual CTR 50-600% |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | TCET2100 |
Document Number: 83727
Rev. 1.5, 07-Oct-10
For technical questions, contact:
optocoupleranswers@vishay.com
www.vishay.com
3
TCET2100, TCET4100
Vishay Semiconductors
Optocoupler, Phototransistor Output,
(Dual, Quad Channel)
Note
According to DIN EN 60747-5-5 (see figure 2). This optocoupler is suitable for safe electrical isolation only within the safety ratings.
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of suitable protective circuits.
Fig. 1 - Derating Diagram
Fig. 2 - Test Pulse Diagram for Sample Test According to
DIN EN 60747-5-5/DIN EN 60747-; IEC60747
MAXIMUM SAFETY RATINGS
PARAMETER
INPUT
Forward current
OUTPUT
Power dissipation
COUPLER
Rated impulse voltage
Safety temperature
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
F
275
mA
P
diss
400
mW
V
IOTM
T
si
10
175
kV
°C
INSULATION RATED PARAMETERS
PARAMETER
Partial discharge test voltage -
routine test
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
100 %, t
test
= 1 s
V
pd
1.669
kV
Partial discharge test voltage -
lot test (sample test)
t
Tr
= 60 s, t
test
= 10 s,
(see figure 2)
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
10
kV
kV
Ω
Ω
1.424
10
12
10
11
Insulation resistance
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V, T
amb
= 100 °C
V
IO
= 500 V, T
=
150 °C
(construction test only)
R
IO
10
9
Ω
0
25
50
75
125
0
50
100
150
200
300
P
t
T
si
- Safety Temperature (°C)
150
94 9182
100
250
Phototransistor
P
si
(mW)
IR-diode
I
si
(mA)
t
13930
t
1
, t
2
= 1 to 10 s
t
3
, t
4
= 1 s
t
test
= 10 s
t
stres
= 12 s
V
IOTM
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
0
t
1
t
test
t
Tr
= 60 s
t
stres
t
3
t
4
t
2
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