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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F128P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 50/102頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
50
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
9.2
Device Commands
Device operations are initiated by writing specific device commands to the Command User
Interface (CUI). See
Table 20, “Command Bus Cycles” on page 50
. Several commands are used to
modify array data including Word Program and Block Erase commands. Writing either command
to the CUI initiates a sequence of internally
-
timed functions that culminate in the completion of the
requested task. However, the operation can be aborted by either asserting RST# or by issuing an
appropriate suspend command.
Table 20.
Command Bus Cycles (Sheet 1 of 2)
Mode
Command
Bus
Cycles
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Oper
Addr
(1)
Data
(2)
Oper
Addr
(1)
Data
(2)
Read
Read Array
1
Write
DBA
0xFF
-
-
-
Read Device Identifier
≥
2
Write
DBA
0x90
Read
DBA + IA
ID
CFI Query
≥
2
Write
DBA
0x98
Read
DBA + QA
QD
Read Status Register
2
Write
DBA
0x70
Read
DBA
SRD
Clear Status Register
1
Write
DBA
0x50
-
-
-
Program
Word Program
2
Write
WA
0x40/
0x10
Write
WA
WD
Buffered Program
(3)
>
2
Write
WA
0xE8
Write
WA
N - 1
Buffered Enhanced Factory
Program (BEFP)
(4)
>
2
Write
WA
0x80
Write
WA
0xD0
Erase
Block Erase
2
Write
BA
0x20
Write
BA
0xD0
Suspend
Program/Erase Suspend
1
Write
DBA
0xB0
-
-
-
Program/Erase Resume
1
Write
DBA
0xD0
-
-
-
Block
Locking/
Unlocking
Lock Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0x01
Unlock Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0xD0
Lock-down Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0x2F
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PDF描述 |
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