參數(shù)資料
型號： TE28F160B3TC80
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 80 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)： 47/49頁
文件大?。?/td> 427K
代理商： TE28F160B3TC80
E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
47
PRELIMINARY
APPENDIX C
ACCESS TIME VS. CAPACITIVE LOAD
(t
AVQV
vs. C
L
)
Access Time vs. Load Capacitance
Derating Curve
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
30
50
70
100
Load Capacitance(pF)
A
Smart 3 Advanced Boot
Block
NOTE:
V
CCQ
= 2.7V
This chart shows a derating curve for device access time with respect to capacitive load. The value in the
DC characteristics section of the specification corresponds to C
L
= 50 pF.
NOTE:
Sampled, but not 100% tested
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F400B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F400B3B110 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3B150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400BV-B80 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F160B3TD70A 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
TE28F160C3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory
TE28F160C3B110 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F160C3B90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F160C3BA110 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*