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參數(shù)資料
| 型號： | TG-135 |
| 廠商： | Clare, Inc. |
| 英文描述： | HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES |
| 中文描述： | 高能火花隙裝置 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | TG-135 |
568
North America: 1-800-CPCLARE
Europe: 32-11-300868
Asia: 886-2-2523-6368
Japan: 81-3-3980-2212
HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES
Two Electrode High-Energy Spark Gaps
MECHANICAL DIMENSIONS
A DIA.
B
C
TG LEGACY – 1
(0.360
±
0. 0.005)
(0.500
±
0. 0.125)
±
(37.62
±
0.32
1.(0.406)
TG LEGACY – 2/3/3A
A
C
B
TG LEGACY 1-A
(1.313
±
0. 0.007)
A
C
2.22
±
0 0.010)
(.875
TG LEGACY – 5
B
1.5(0.620)
±
(25.08
±
0.32
(0.560
±
0. 0.031)
#8 – 32 THREAD
A
1.(0.406)
TG LEGACY – 7A
(0.360
±
0. 0.005)
(1.156
±
0. 0.094)
A
1.(0.406)
TG LEGACY – 4/4A
1.(0.406)
(0.360
±
0. 0.005)
A
(0.64
1.57(0.620)
(0.560
±
0. 0.031)
TG LEGACY – 7
A
2(0.890)
(0.645
±
0. 0.015)
TG LEGACY – 9
B
DIMENSIONS
mm
(inches)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TG2200F | 1.9GHz BAND ANTENNA SWITCH(PHS DIGITAL CORDLESS TELEPHONE) |
| TGS813 | TGS 813 - for the detection of Combustible Gases |
| TH50VSF1480 | 2M Bits SRAM And 16M Bits Flash Memory(2M位SRAM和16M Flash 復(fù)合芯片) |
| TH50VSF1481 | 2M Bits SRAM And 16M Bits Flash Memory(2M位SRAM和16M Flash 復(fù)合芯片) |
| TH50VSF2480 | 4M Bits SRAM（×8×16） And 16M Bits Flash（×8×16） Memory(4M位SRAM和16M Flash 復(fù)合存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TG-139 | 制造商:CLARE 制造商全稱:Clare, Inc. 功能描述:HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES |
| TG-14 | 制造商:CLARE 制造商全稱:Clare, Inc. 功能描述:HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES |
| TG-140 | 制造商:CLARE 制造商全稱:Clare, Inc. 功能描述:HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES |
| TG1-4270J | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Positive - Temperature - Coefficient Silicon Thermistors |
| TG1-4270K | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Positive - Temperature - Coefficient Silicon Thermistors |
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