參數(shù)資料
型號： TGA8320-SCC
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 衰減器
英文描述： Gain Block Amplifier
中文描述： RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝： CHIP
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 526K
代理商： TGA8320-SCC
TriQuint Semiconductor Texas : (972)994 8465 Fax: (972)994 8504 Web: www.triquint.com
Product Data Sheet
TGS8320-SCC
4
Frequency
(GHz)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
S
11
S
21
S
12
S
22
GAIN
(dB)
10.1
9.8
9.7
9.6
9.5
9.4
9.3
9.3
9.3
9.2
9.1
9.0
9.1
9.0
8.9
8.7
MAG
0.05
0.06
0.08
0.10
0.12
0.13
0.15
0.16
0.16
0.16
0.18
0.18
0.12
0.09
0.09
0.13
ANG (°)
- 79
- 113
- 132
- 146
- 159
- 171
- 180
173
168
166
166
149
148
164
- 164
- 150
MAG
3.18
3.11
3.07
3.03
2.99
2.96
2.93
2.91
2.91
2.89
2.86
2.83
2.86
2.83
2.80
2.73
ANG (°)
166
155
144
133
122
112
101
90
79
68
57
47
36
24
12
0
MAG
0.001
0.001
0.001
0.002
0.003
0.003
0.004
0.007
0.009
0.012
0.019
0.018
0.017
0.018
0.020
0.022
ANG (°)
111
109
127
129
135
133
149
145
143
135
131
107
105
104
101
95
MAG
0.04
0.07
0.09
0.11
0.13
0.14
0.15
0.16
0.15
0.15
0.14
0. 13
0.15
0.17
0.21
0.26
ANG (°)
52
59
59
55
50
43
37
26
12
- 3
- 19
- 39
- 70
- 99
- 124
- 144
TYPICAL S-PARAMETERS
T
A
= 25
o
C, V
+
= 12 V, V
G2
= 1.5 V, I
+
= 70 mA
Reference planes for S-parameter data include bond wires as specified in the “Recommended
Assembly Diagram”. The S-parameters are also available on floppy disk and the world wide web.
RF CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITIONS
f = DC to 8 GHz
TYP
9.5
UNIT
dB
G
P
Small- signal power gain
SWR(in)
SWR(out) Output standing wave ratio
P
1dB
Output power at 1–dB gain compression
Input standing wave ratio
f = DC to 8 GHz
f = DC to 8 GHz
f = DC to 8 GHz
1.3:1
1.3:1
17
-
-
dBm
NF
Noise figure
f = DC to 8 GHz
f = 2 GHz
f = 4 GHz
5
dB
30
31
IP
3
Output third–order intercept point
dBm
f = 8 GHz
f = 2 GHz
28
33
IP
2
Output second–order intercept point
dBm
f = 4 GHz
f
o
= 2 GHz
f
o
= 4 GHz
f
o
= 2 GHz
f
o
= 4 GHz
39
Output third harmonic at 1–dB gain compression
- 23.5
- 32
- 19
- 25
dBc*
Output second harmonic at 1–dB gain compression
dBc*
V
+
= 12 V, V
G2
= 1.5 V, I
+
= 70 mA, T
A
= 25
o
C
*Unit dBc applies to decibels with respect to the carrier or fundamental frequency, f
o
.
PARAMETER
TEST CONDITION
NOM
27
UNIT
°C/ W
R
Θ
JC
Thermal resistance, channel to backside
V
+
= 12 V, V
G2
= 1.5 V, I
+
= 70 mA
THERMAL
INFORMATION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGA8334 2 - 20 GHz Power Amplifier
TGA8334-SCC 2 - 20 GHz Power Amplifier
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