參數(shù)資料
型號： TGF4118
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 18 mm Discrete HFET
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
封裝： 0.036 X 0.081INCH, 0.004 INCH HEIGHT, DIE-12
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 152K
代理商： TGF4118
TriQuint Semiconductor Texas Phone: 972 994-8465 Fax 972 994-8504
Web: www.triquint.com
8
Mechanical Drawing of TGF4118-EPU
G
D
Alternate gate pad
Alternate drain pad
Units: mils (mm)
Thickness: 4.0 (0.10)
Gate pad sizes are 4.0 x 4.0 (0.10 x 0.10)
Drain pad sizes are 4.7 x 14.5 (0.12 x 0.37)
A minimum of four gate bonds and eight drain
bonds is recommended for operation. Sources are
connected to backside metalization. Alternate gate
and drain pads are located on either end of the
FET for paralleling TGF4118-EPUs.
0.0
19.4
(0.493)
24.9
(0.632)
36.0
(0.914)
12.0
(0.305)
7.4
(0.187)
48.8
(1.239)
32.2
(0.819)
69.0
(1.753)
61.6
(1.565)
52.5
(1.333)
45.1
(1.145)
35.9
(0.913)
28.5
(0.725)
15.7
(0.399)
0.0
81.0
(2.057)
76.3
(1.938)
65.3
(1.659)
4.7
(0.119)
相關PDF資料
PDF描述
TGF4118-EPU 18 mm Discrete HFET
TGF4124 24 mm Discrete HFET
TGF4124-EPU 24 mm Discrete HFET
TGF4230-SCC DC - 12 GHz Discrete HFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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TGF4124 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-4.0GHz 10 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
TGF4124-EPU 制造商:TriQuint Semiconductor 功能描述:DC-4.0GHZ 10 WATT HFET
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TGF4230-EEU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET
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