參數(shù)資料
型號(hào)： TGF4260
廠商： TriQuint Semiconductor,Inc.
英文描述： 9.6mm Discrete HFET
中文描述： 九點(diǎn)六毫米離散異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： TGF4260
4260
TGF4260-EPU
9.6mm Discrete HFET
PRELIMINARY
RF PERFORMANCE
G
9600 m x 0.5 m
G
Nominal Pout of 37-dBm at 6.0 GHz
G
Nominal Gain of 9.5-dB at 6.0 GHz
G
Nominal PAE of 52% at 6.0 GHz
G
Suitable for high reliability applications
G
0,572 x 2,324 x 0,102 mm
(0.023 x 0.092 x 0.004 in.)
0
5
10
15
35
40
15
17
19
21
23
25
27
29
Input Power - dBm
G
0
7
14
21
49
56
P
Pout (dBm)
Gain (dB)
PAE (%)
T R I Q U I N T
S E M I C O N D U C T O R , I N C .
TriQuint Semiconductor, Inc.
Texas Facilities
(972) 995-8465
www.triquint.com
20
25
30
28
35
42
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF4260-EPU 9.6mm Discrete HFET
TGF4350 300um Discrete pHEMT
TGF4350-EPU 300um Discrete pHEMT
TGL2201-EPU Wideband Dual Stage VPIN Limiter
TGL4201-00-EPU Wideband Fixed Attenuators
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF4260-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱(chēng):TriQuint Semiconductor 功能描述:9.6mm Discrete HFET
TGF4260-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-10.5GHz 5 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4350 功能描述:射頻放大器 DC-22GHz 0.3mm pHEMT (0.25um) RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
TGF4350-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱(chēng):TriQuint Semiconductor 功能描述:300um Discrete pHEMT
TGF50-07870787-020 功能描述:THERMAL GAP FILLER/WHITE 5.0W/M- 制造商:leader tech inc. 系列:TGF50 零件狀態(tài):在售 使用:片狀 形狀:方形 外形:199.90mm x 199.90mm 厚度:0.0200"（0.508mm） 材料:氧化鋁填充硅膠 粘合劑:膠粘 - 兩側(cè) 底布，載體:- 顏色:白色 熱阻率:0.70°C/W 導(dǎo)熱率:5.0 W/m-K 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25
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