- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385923 > TH50VSF1481 (Toshiba Corporation) 2M Bits SRAM And 16M Bits Flash Memory(2M位SRAM和16M Flash 復(fù)合芯片) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TH50VSF1481 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 2M Bits SRAM And 16M Bits Flash Memory(2M位SRAM和16M Flash 復(fù)合芯片) |
| 中文描述： | 200萬位的SRAM和16M位閃存（200萬位的SRAM和閃存復(fù)合芯片1,600） |
| 文件頁數(shù)： | 17/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1166K |
| 代理商： | TH50VSF1481 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當(dāng)前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TH50VSF2480 | 4M Bits SRAM（×8×16） And 16M Bits Flash（×8×16） Memory(4M位SRAM和16M Flash 復(fù)合存儲(chǔ)器) |
| TH50VSF2481 | 4M Bits SRAM（×8×16） And 16M Bits Flash（×8×16） Memory(4M位SRAM和16M Flash 復(fù)合存儲(chǔ)器) |
| TH58512DC | A Single 3.3V 512MBit(32M × 8Bit) CMOS NAND EEPROM(單片3.3V 512M位(32M × 8位) CMOS NAND EEPROM) |
| TH58512FTI | A Single 3.3V 512MBit(32M × 8Bit) CMOS NAND EEPROM(單片3.3V 512M位(32M × 8位) CMOS NAND EEPROM) |
| TH58512FT | A Single 3.3V 512MBit(32M × 8Bit) CMOS NAND EEPROM(單片3.3V 512M位(32M × 8位) CMOS NAND EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TH50VSF2580AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2581AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2582 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2582AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2583AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。