參數(shù)資料
型號(hào)： TIM4450-35SL
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： TIM4450-35SL
T IM4450-35S L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25
°
C )
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
stg
UNIT
RATING
Drain-Source Voltage
V
15
Gate-Source Voltage
V
-5
Drain Current
Total Power Dissipation (Tc= 25
°
C)
Channel Temperature
A
20
W
°
C
°
C
115.4
175
Storage
PACKAGE OUTLINE (2-16G1B)
-65 to +175
Unit in mm
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
HANDLING PRECAUTIONS FOR PACKAGE MODEL
Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds
at 260
°
C.
2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TIM4450-4UL 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 4GHZ, 23W - Trays
TIM4450-4UL_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:HIGH POWER P1dB=36.5dBm at 4.4GHz to 5.0GHz
TIM4450-50SL-861 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS JFET - Bulk
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