參數(shù)資料
型號： TIP3055
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： TIP3055
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
1.4
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEX
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 1.5V)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 100 V V
BE
= -1.5 V
5
mA
I
CEO
V
CE
= 30 V
0.7
mA
I
EBO
V
EB
= 7 V
5
mA
I
C
= 30 mA
60
V
I
C
= 4 A I
B
= 0.4 A
I
C
= 10 A I
B
= 3.3 A
1
3
V
V
I
C
= 4 A V
CE
= 4 V
I
C
= 4 A V
CE
= 4 V
I
C
= 10 A V
CE
= 4 V
1.8
V
20
5
h
fe
Small Signal Current
Gain
Transition-Frequency
I
C
= 1 A V
CE
= 10 V f = 1 KHz
15
f
T
I
C
= 0.5 A V
CE
= 10 V f = 1 MHz
3
MHz
t
on
t
off
RESISTIVE LOAD
Turn-on Time
Turn-off Time
I
C
= 6 A I
B1
= 0.6 A
I
B2
= - 0.6 A V
BEoff
= - 4 V
R
L
= 5
0.5
0.9
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP type, voltage and current value are negative.
TIP2955/TIP3055
2/4
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