采購需求
(若只采購一條型號,填寫一行即可)*型號 | *數量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
---|---|---|---|---|
|
添加更多采購
型號: | TIP31E |
廠商: | Power Innovations International, Inc. |
英文描述: | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
中文描述: | NPN硅功率晶體管 |
文件頁數: | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 99K |
代理商: | TIP31E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
TIP31F | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
TIP331 | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
TIP34 | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
TIP34A | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
TIP34B | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
TIP31E-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 140V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP31F | 制造商:BOURNS 制造商全稱:Bourns Electronic Solutions 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
TIP31F-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 160V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP31G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP31-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
*型號 | *數量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
---|---|---|---|---|
|