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參數(shù)資料
| 型號： | TIP31F |
| 廠商： | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | TIP31F |
3
AUGUST 1978 - REVISED MARCH 1997
TIP31D, TIP31E, TIP31F
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·001
0·01
0·1
1·0
10
h
F
10
100
1000
TCS631AA
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
BASE CURRENT
10
I
B
- Base Current - mA
0·1
1·0
10
100
1000
V
C
0·01
0·1
1·0
TCS631AB
I
C
= 100 mA
I
C
= 300 mA
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
BASE-EMITTER VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·01
0·1
1·0
10
V
B
0·5
0·6
0·7
0·8
0·9
1·0
TCS631AC
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| TIP331 | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
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| TIP34A | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
| TIP34B | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
| TIP34C | POWER TRANSISTORS(10A,40-100V,80W) |
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參數(shù)描述 |
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| TIP31G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP31-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP31TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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