參數(shù)資料
型號： TLP197G
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo-MOS FET
中文描述： 東芝光電耦合砷化鎵登記合格決定
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： TLP197G
TLP197G
2002-09-25
2
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Forward current
I
F
50
mA
Forward current derating (Ta
≥
25°C)
I
F
/°C
0.5
mA/°C
Pulse forward current (100μs pulse,100pps)
I
FP
1
A
Reverse voltage
V
R
5
V
L
Junction temperature
T
j
125
°C
Off state output terminal voltage
V
OFF
350
V
A connection
B connection
On state current
C connection
I
ON
120
mA
A connection
B connection
On state current derating (Ta
≥
25°C)
C connection
I
ON
/°C
1.2
mA/°C
D
Junction temperature
T
j
125
°C
Storage temperature range
T
stg
55~125
°C
Operating temperature range
T
opr
40~85
°C
Lead soldering temperature(10 s)
T
sol
260
°C
Isolation voltage (AC,1 min.,RH
≤
60%)
(Note 1)
BV
S
1500
Vrms
(Note 1): Device considered a two terminal device: Pins1,2 and 3 shorted together and
pins 4,5 and 6 shorted together.
Recommended Operating Conditions
Characteristic
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Supply voltage
V
OFF
280
V
Forward current
I
F
5
7.5
25
mA
On state current(A connection)
I
ON
100
mA
Operating temperature
T
opr
20
65
°C
Circuit Connections
1
2
3
6
5
4
LOAD
or
A Connection
1
2
3
6
5
4
LOAD
DC
B Connection
1
2
3
6
5
4
LOAD
DC
C Connection
AC
DC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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