參數(shù)資料
型號(hào)： TLZ9V1C
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 9.065 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
封裝： ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： TLZ9V1C
TLZ-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85635
Rev. 2.0, 26-Aug-10
www.vishay.com
5
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Figure 5. Diode Capacitance vs. Z-Voltage
Figure 6. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 7. Z-Current vs. Z-Voltage
10
15
0
50
100
150
200
C
D
-
Diode
Capacitance
(pF)
VZ - Z-Voltage (V)
25
95 9601
20
T
j = 25 °C
V
R = 2 V
0
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I F
-
For
w
ard
C
u
rrent
(mA)
VF - Forward Voltage (V)
T
j = 25 °C
8
20
95 9604
0
20
40
60
80
100
I Z
-
Z-C
u
rrent
(mA)
P
tot = 500 mW
T
amb = 25 °C
04
6
12
VZ - Z-Voltage (V)
Figure 8. Z-Current vs. Z-Voltage
Figure 9. Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
I Z
-
Z-C
u
rrent
(mA)
VZ - Z-Voltage (V)
35
95 9607
P
tot = 500 mW
T
amb = 25 °C
0
101520
1
10
100
1000
25
95 9606
T
j = 25 °C
I
Z = 1 mA
5 mA
10 mA
VZ - Z-Voltage (V)
r Z
-
Differential
Z-Resistance
(
Ω
)
5
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PDF描述
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參數(shù)描述
TLZ9V1C-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
TLZ9V1C-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
TLZ9V1-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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TM 制造商:Datak Corporation 功能描述:
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