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參數(shù)資料
| 型號： | TN1215-1000H-TR |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| 中文描述： | 敏感 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | TN1215-1000H-TR |
TN12, TS12 and TYNx12 Series
3/11
■
STANDARD
Table 6: Thermal resistance
Symbol
Test Conditions
TN1215
B / H
TYN
Unit
G
x12T
0.5
5
x12
2
15
I
GT
V
D
= 12 V R
L
= 33
MIN.
MAX.
2
15
mA
V
GT
V
GD
I
H
I
L
dV/dt
MAX.
1.3
V
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 k
I
T
= 500 mA Gate open
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 % V
DRM
Gate open T
j
=125°C
I
TM
= 24 A t
p
= 380 μs
Threshold voltage
T
j
= 125°C
MIN.
0.2
V
MAX.
40
30
15
30
mA
MAX.
80
60
30
60
mA
MIN.
200
40
200
V/μs
V
TM
V
t0
R
d
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
MAX.
1.6
V
MAX.
0.85
V
Dynamic resistance
MAX.
30
m
I
DRM
I
RRM
V
DRM
= V
RRM
MAX.
5
μA
2
mA
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case (DC)
1.3
°C/W
R
th(j-a)
Junction to ambient (DC)
S = 0.5 cm
2
DPAK
70
°C/W
S = 1 cm
2
D
2
PAK
45
IPAK
100
TO-220AB
60
S = Copper surface under tab.
Figure 1: Maximum average power dissipation
versus average on-state current
Figure 2: Average and D.C. on-state current
versus case temperature
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
P(W)
I
(A)
T(AV)
α
= 180°
360°
α
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8
10
12
14
I
(A)
T(AV)
T
(°C)
case
α
= 180°
D.C.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN1215-600B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-600G | SCR |
| TN1215-600H | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-600H-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-800G | SCR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN1215-600B | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TN1215-600B-TR | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TN1215-600G | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TN1215-600GTR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Thyristor SCR 600V 145A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| TN1215-600G-TR | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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