參數(shù)資料
型號： TN1215-600G
廠商： 意法半導體
英文描述： SCR
中文描述： 可控硅
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 122K
代理商： TN1215-600G
TN12, TS12 and TYNx12 Series
8/11
Figure 20: D
2
PAK Package Mechanical Data
Figure 21: D
2
PAK Foot Print Dimensions
(in millimeters)
G
L
L3
L2
B
B2
E
2mm min.
FLAT ZONE
A
C2
D
R
A2
V2
C
A1
16.90
10.30
8.90
3.70
5.08
1.30
REF.
DIMENSIONS
Millimeters
Min.
Typ.
4.30
2.49
0.03
0.70
1.25
1.40
0.45
1.21
8.95
10.00
4.88
15.00
1.27
1.40
0.40
0°
Inches
Typ.
Max.
4.60
2.69
0.23
0.93
Min.
0.169
0.098
0.001
0.027
0.048 0.055
0.017
0.047
0.352
Max.
0.181
0.106
0.009
0.037
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
R
V2
0.60
1.36
9.35
10.28 0.393
5.28
15.85 0.590
1.40
1.75
0.024
0.054
0.368
0.405
0.208
0.624
0.055
0.069
0.192
0.050
0.055
0.016
8°
0°
8°
相關PDF資料
PDF描述
TN1215-600H SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
TN1215-600H-TR SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
TN1215-800G SCR
TN1215-800H SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TN1215-600GTR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Thyristor SCR 600V 145A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
TN1215-600G-TR 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TN1215-600H 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TN1215-600H-TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
TN1215-800B 功能描述:SCR 12 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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