TN1515-600B
Characteristics
3/7
Average and DC on-state
current versus ambient
temperature, PCB FR4, copper
thickness 35 μm
Relative variation of gate trigger
current, holding current and
latching current versus junction
temperature (typical values)
Non-repetitive surge peak
on-state current for a sinusoidal
pulse with width t
p
< 10 ms and
corresponding value of I
2
t
Figure 3.
Figure 4.
Thermal impedance, junction to
ambient, versus pulse duration,
PCB FR4, copper thickness 35 μm
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
25
50
75
100
125
α
=180°
D.C.
S
CU
=0.5cm2
Tamb(°C)
I
(A)
T(AV)
1
1.E-03
10
100
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)
(°C/W)
S
CU
= 0.5 cm2
t
P
(s)
Figure 5.
Figure 6.
Surge peak on-state current versus
number of cycles
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130
I
GT
, I
H
, I
L
[T
j
] / I
GT
, I
H
, I
L
[T
j
=25°C]
I
GT
I
H
& I
L
T
j
(°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1
10
100
1000
I
TSM
(A)
Non repetitive
T
j
initial=25°C
Repetitive
T
C
=109°C
One cycle
tp=10ms
Number of cycles
Figure 7.
Figure 8.
On-state characteristics (maximum
values)
1.E+02
1.E+03
1.E+04
0.01
0.10
1.00
10.00
I
TSM
(A), I2t (A2s)
T
j
initial=25°C
I
TSM
I2t
dI/dt limitation
t
P
(ms)
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
TM
(A)
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
max. :
V
to
= 0.85V
R
D
= 25 m
Ω
V
TM
(V)
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PDF描述
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