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參數(shù)資料
| 型號： | TN22-1500T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | STARTLIGHT |
| 中文描述： | STARTLIGHT |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | TN22-1500T |
TN22
4/9
Figure 2: Maximum average power dissipation
versus average on-state current (rectified full
sinewave)
Figure 3: Correlation between maximum aver-
age power dissipation and maximum allowable
temperature (T
amb
and T
case
) for different ther-
mal resistances heatsink + contact
T(av)
I
(A)
= 180
o
= 120
o
= 60
o
= 30
o
= 90
o
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6 1.8
2
1
T(av)
P
(W)
00
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
= 180
o
Tcase ( C)
Rth=12 C/W
Rth=8 C/W
Rth=4 C/W
Rth=0 C/W
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110
T(av)
P
(W)
Figure 4: Averrage on-state current versus
case temperature (rectified full sine wave)
Figure 5: Thermal transient impedance junction to
ambient versus pulse duration
Figure 6: Relative variation of gate trigger cur-
rent and holding current versus junction tem-
perature
Figure 7: Non repetitive surge peak on-state
current versus number of cycles
10
20
30 40
50
60
70
80
90
100 110
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Tcase ( C)
T(av)
I
(A)
= 180
o
1.0E-01
1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03
1.0E1.0E-02
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
Zth(j-a)(oC/W)
tp(S)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Igt
Tj( C)
o
Ih
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
Igt[Tj]
Igt[Tj=25 C]
Ih[Tj]
Ih[Tj=25 C]
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Tj initial = 25 C
F = 50Hz
Number of cycles
I
(A)
TSM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN22-1500TTR | STARTLIGHT |
| TN22-B | STARTLIGHT |
| TN22-H | STARTLIGHT |
| TN22-T | STARTLIGHT |
| TN2222A | NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN22-1500TTR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:STARTLIGHT |
| TN2218A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-237VAR |
| TN2219 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-237VAR |
| TN2219A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN2219A D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 T/R |
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