參數(shù)資料
型號： TN2504
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓40V，低門限1.6V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管垂直的DMOS（40V的擊穿電壓，1.6V的低門限，?溝道增強型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 31K
代理商： TN2504
7-89
TN2504
Output Characteristics
5
4
3
2
1
0
0
10
20
V
DS
(volts)
30
50
40
Saturation Characteristics
5
4
3
2
1
0
2
4
6
10
8
Maximum Rated Safe Operating Area
0
100
10
1
0.1
1.0
10.0
0.01
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.001
10
0.01
0.1
1
Transconductance vs. Drain Current
2.0
1.0
0
0
5
1
2
3
4
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
0
150
100
50
2.0
1.0
0
125
75
25
25
°
C
125
°
C
6V
4V
3V
0
8V
6V
4V
0
3V
8V
TO-243AA (DC)
TO-243AA
V
GS
= 10V
V
DS
(volts)
I
D
I
D
V
GS
= 10V
P
D
G
F
I
D
(amperes)
T
A
(
°
C)
V
DS
= 15V
T
A
= -55
°
C
V
DS
(volts)
t
P
(seconds)
I
D
TO-243AA (pulsed)
T
A
= 25
°
C
TO-243AA
T
A
= 25
°
C
P
D
= 1.6W
Typical Performance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2510 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN2510 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510N8 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510ND N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2524 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓240V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN2504N8 功能描述:MOSFET 40V 1Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2504N8-G 功能描述:MOSFET 40V 1Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2504ND 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510N8 功能描述:MOSFET 100V 1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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