參數(shù)資料
型號(hào)： TN2504N8
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： 0.89 A, 40 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA
封裝： SAME AS SOT-89, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 477K
代理商： TN2504N8
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
TN2504
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
BV
DSS
Variation with Temperature
B
D
Transfer Characteristics
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
10
8
6
4
2
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
0.9
2.0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
8
6
4
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-50
0
50
100
150
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
0
1
2
3
5
4
f = 1MHz
60 pF
0
75
25
0
1.0
0
130 pF
0
I
D
(amperes)
T
j
(
°
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
R
D
V
DS
= 15V
I
D
V
(th)
@ 1mA
R
DS
@ 10V, 1.5A
T
j
(
°
C)
V
GS
(volts)
V
G
V
DS
= 10V
V
DS
= 40V
V
DS
(volts)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
Typical Performance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2504ND N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2504 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2504 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓40V，低門限1.6V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TN2510 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TN2510 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN2504N8-G 功能描述:MOSFET 40V 1Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2504ND 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510N8 功能描述:MOSFET 100V 1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2510N8-G 功能描述:MOSFET 100V 1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*