參數(shù)資料
型號(hào)： TN2640K4
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： 0.5 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 461K
代理商： TN2640K4
4
TN2640
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
12/19/01rev.1
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Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
T
j
(
°
C)
V
G
R
D
V
TH
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
B
D
(
T
j
(
°
C)
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
400
C
V
DS
(volts)
I
D
(amperes)
BV
DSS
Variation with Temperature
0
10
20
30
40
200
300
100
0
0
2
4
6
8
10
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
-50
0
50
100
150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
10
8
6
4
2
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
-50
0
50
100
150
253pF
V
DS
= 10V
V
DS
= 40V
653pF
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
125
°
C
0
1.0
2.0
3.0
5.0
4.0
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
0.9
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
25
°
C
T
A
= -55
°
C
V
DS
= 25V
0
V
(th)
@ 2mA
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
Typical Performance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2640LG N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2640N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2640ND N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN4-25702 D38 - CONNECTOR ACCESSORY
TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓250V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TN2640LG 功能描述:MOSFET 400V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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TN2640N3 功能描述:MOSFET 400V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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